Elétrons secundários

Elétrons secundários são elétrons gerados como produtos de ionizações. Eles são chamados de “secundários” porque são gerados por outra radiação (a radiação primária). Essa radiação pode ocorrer na forma de íons, elétrons ou fótons com energia suficientemente alta, ou seja, excedendo o potencial de ionização. Os fotoelétrons podem ser considerados um exemplo de elétrons secundários no qual a radiação primária trata-se de fótons; para alguns, fotoelétrons com energia mais alta (>50 eV) ainda são considerados “primários”, enquanto os elétrons liberados pelos fotoelétrons são “secundários”.

Aplicações

Os elétrons secundários também são os principais meios de visualização de imagens no microscópio eletrônico de varredura (MEV). O alcance dos elétrons secundários depende da energia. Traçar o percurso livre médio inelástico em função da energia geralmente mostra as características da “curva universal”^[1] familiar aos espectroscopistas de elétrons e analistas de superfície. Tal distância é da ordem de alguns nanômetros em metais e de dezenas de nanômetros em isolantes.^[2]^[3] Essa pequena distância permite que uma resolução tão fina seja alcançada no MEV.

Para SiO₂, com uma energia eletrônica primária de 100 eV, a faixa de elétrons secundários é de até 20 nm do ponto de incidência.^[4]^[5]

Ver também

Referências

↑ Zangwill, Andrew (1988). Physics at surfaces. Cambridge Cambridgeshire New York: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-34752-5. OCLC 15855885
↑ Seiler, H (1983). «Secondary electron emission in the scanning electron microscope». AIP Publishing. Journal of Applied Physics. 54: R1–R18. ISSN 0021-8979. doi:10.1063/1.332840
↑ Cazaux, Jacques (15 de janeiro de 1999). «Some considerations on the secondary electron emission, δ, from e− irradiated insulators». AIP Publishing. Journal of Applied Physics. 85: 1137–1147. ISSN 0021-8979. doi:10.1063/1.369239
↑ Schreiber, E.; Fitting, H.-J. (2002). «Monte Carlo simulation of secondary electron emission from the insulator SiO2». Elsevier BV. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 124: 25–37. ISSN 0368-2048. doi:10.1016/s0368-2048(01)00368-1
↑ Fitting, H.-J.; Boyde, J.; Reinhardt, J. (16 de janeiro de 1984). «Monte-Carlo Approach of Electron Emission from SiO2». Wiley. Physica Status Solidi A. 81: 323–332. ISSN 0031-8965. doi:10.1002/pssa.2210810136

[1] Zangwill, Andrew (1988). Physics at surfaces. Cambridge Cambridgeshire New York: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-34752-5. OCLC 15855885

[2] Seiler, H (1983). «Secondary electron emission in the scanning electron microscope». AIP Publishing. Journal of Applied Physics. 54: R1–R18. ISSN 0021-8979. doi:10.1063/1.332840

[3] Cazaux, Jacques (15 de janeiro de 1999). «Some considerations on the secondary electron emission, δ, from e− irradiated insulators». AIP Publishing. Journal of Applied Physics. 85: 1137–1147. ISSN 0021-8979. doi:10.1063/1.369239

[4] Schreiber, E.; Fitting, H.-J. (2002). «Monte Carlo simulation of secondary electron emission from the insulator SiO2». Elsevier BV. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 124: 25–37. ISSN 0368-2048. doi:10.1016/s0368-2048(01)00368-1

[5] Fitting, H.-J.; Boyde, J.; Reinhardt, J. (16 de janeiro de 1984). «Monte-Carlo Approach of Electron Emission from SiO2». Wiley. Physica Status Solidi A. 81: 323–332. ISSN 0031-8965. doi:10.1002/pssa.2210810136

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